dV/dD-D和dV/d㏒D-D两种微分分布的表示方法有何不同?

孔径的微分分布曲线的一般表达方式是用dV/dD对D作图,表示孔容随孔径变化率的规律,由于孔径的范围很宽,从零点几纳米到几百纳米,一般在十纳米以下,因此横坐标采用对数坐标,有意把纳米范围孔的变化放大,表示的更清晰。从介孔和大孔孔径分析的Kilven方程看,压力与孔径的对应关系,在50纳米以上时,压力变化非常小,例如,P/Po=0.98时,对应孔径约为50nm,当P/Po=0.99时,对应孔径约为100nm,P/Po=0.995是,对应孔径约为400nm,这时每两个测试点之间的孔径间隔(dD)非常大,得到的孔容随孔径的变化率很小,因此,在dV/dD-D曲线上,对于大孔材料的最可几孔径范围不能更清晰的反映出来,为了解决这个问题,提出了dV/d㏒D-D的表示方法,这种方法把大孔范围的孔容孔径变化率加大,因为dV/d㏒D=D·loge·dV/dD≈2.3D·(dV/dD),因此当孔径分布在较大的孔径范围时,例如大于10nm时,在dV/d㏒D-D的图上,其最可几孔径能够更清晰的表示出来。

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